?? 分為MB芯片，GB芯片，TS芯片，AS芯片等4種，下文將分析介紹這4種芯片的定義與特點。1.MB芯片定義與特點
定義：
? ? ? ? MB 芯片：Metal Bonding (金屬粘著）芯片；該芯片屬于UEC 的專利產品
特點﹕
? ???1、采用高散熱系數的材料---Si??作為襯底，散熱容易。
Thermal Conductivity
GaAs: 46 W/m-K
GaP: 77 W/m-K
Si: 125 ～ 150 W/m-K
Cupper:300~400 W/m-k
SiC: 490 W/m-K
? ???2、通過金屬層來接合(wafer bonding)磊晶層和襯底，同時反射光子，避免襯底的吸收.
? ???3、導電的Si 襯底取代GaAs 襯底，具備良好的熱傳導能力(導熱系數相差3~4? ?倍)，更適應于高驅動電流領域。
? ???4、底部金屬反射層，有利于光度的提升及散熱。
? ???5、尺寸可加大﹐應用于High power 領域﹐eg : 42mil MB
2.GB芯片定義和特點
定義﹕
? ?? ? GB 芯片：Glue Bonding (粘著結合）芯片；該芯片屬于UEC 的專利產品
特點：
? ?? ?? ?1：透明的藍寶石襯底取代吸光的GaAs襯底﹐其出光功率是傳統AS (Absorbable structure)芯片的2倍以上，藍寶石襯底類似TS芯片的GaP襯底。
? ?? ?? ?2：芯片四面發光﹐具有出色的Pattern圖。
? ?? ?? ?3：亮度方面﹐其整體亮度已超過TS芯片的水平(8.6mil)。
? ?? ?? ?4：雙電極結構﹐其耐高電流方面要稍差于TS單電極芯片。
3.TS芯片定義和特點
定義：
? ?? ? TS 芯片：transparent structure(透明襯底)芯片，該芯片屬于HP 的專利產品。
特點﹕
? ? 1.芯片工藝制作復雜，遠高于AS 。
? ? 2.信賴性卓越。
? ? 3.透明的GaP襯底，不吸收光，亮度高。
? ? 4.應用廣泛。
4.AS芯片定義與特點
定義：
? ?? ? AS 芯片：Absorbable structure??(吸收襯底）芯片，經過近四十年的發展努力，臺灣LED光電業界對于該類型芯片的研發、生產、銷售處于成熟的階段，各大公司在此方面的研發水平基本處于同一水平，差距不大。大陸芯片制造業起步較晚，其亮度及可靠度與臺灣業界還有一定的差距，在這里我們所談的AS芯片，特指UEC的AS芯片，eg: 712SOL-VR, 709SOL-VR, 712SYM-VR,709SYM-VR 等。
特點：
? ? 1. 四元芯片，采用 MOVPE工藝制備，亮度相對于常規芯片要亮。
? ? 2. 信賴性優良。
? ? 3. 應用廣泛。
發光二極管芯片材料磊晶種類
1、LPE：Liquid Phase Epitaxy(液相磊晶法) GaP/GaP
2 、VPE：Vapor Phase Epitaxy(氣相磊晶法) GaAsP/GaAs
3 、MOVPE：Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (有機金屬氣相磊晶法) AlGaInP、GaN
4 、SH：GaAlAs/GaAs Single Heterostructure(單異型結構)GaAlAs/GaAs
5 、DH：GaAlAs/GaAs Double Heterostructure， (雙異型結構) GaAlAs/GaAs
6、DDH：GaAlAs/GaAlAs Double Heterostructure，??(雙異型結構) GaAlAs/GaAlAs